Субстрати от алуминиев нитрид - Субстрати от алуминиев нитрид: Основата за производство на полупроводници

Материалите от алуминиев нитрид (AIN) играят важна роля в полупроводниковата индустрия, а сходствата между термичния им профил и този на силиция ги правят идеален избор за приложения, свързани с вафли. Вафлите от алуминиев нитрид на Innovacera имат висока надеждност на Si чипа и термичен цикъл на нагряване. Според технологията за директно свързване на вафли, полирани полупроводникови вафли могат да бъдат свързани помежду си без лепила. Директното свързване на вафли изисква много равна и гладка повърхност (Ra≤0.05um), субстратите от AlN на Innovacera могат да отговорят на тези изисквания. Характеристики Висока точка на топене Висока електрическа изолация Ниска диелектрична константа По-висока механична якост Изключителна устойчивост на корозия срещу разтопен метал Термична и химическа стабилност Висока термична проводимост (170-220w/mk) Сходен коефициент на термично разширение с този на силиция (si)