Керамични термични подложки от алуминиев нитрид за MOSFET транзистор - TO-3P/220/247/254/257/258/264

Керамичните термични изолаторни подложки от алуминиев нитрид са керамични материали с изключителни свойства, като висока термична проводимост и висока електрическа устойчивост. Освен това, те притежават предимства като висока твърдост, устойчивост на корозия, ниска диелектрична константа и диелектрични загуби, както и нисък коефициент на термично разширение (CTE). Керамиките от алуминиев нитрид имат отлична термична проводимост (7-10 пъти по-висока от тази на керамиките от алуминий), тъй като коефициентът на термично разширение на силиция е подобен, и като ново поколение керамични материали, все повече хора обръщат внимание на тях. Редовен размер: За тип опаковка: TO-3P / TO-220 / TO-247 / TO-264 / TO-3/TO-254/TO-257/TO-258, с отвор или без отвор. TO – 3P, 25*20*1mm (други дебелини също са налични); TO-220, 20*14*1mm (други дебелини също са налични); TO-247, 22*17*0.635mm (други дебелини също са налични); TO-264, 28*22*1mm (други дебелини също са налични); TO-3, 39.7*26.67*1mm (ромбовидна форма). За тип опаковка: TO-3P / TO-220 / TO-247 / TO-264 / TO-3/TO-254/TO-257/TO-258, с отвор или без отвор. Материали: Алуминиев нитрид, Алуминий (Al2O3)